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抗辐射集成电路技术实验室2021年工作会暨学术交流会圆满召开
来源: 研究开发部 新集成电路事业部 党委工作部 责任编辑: 发布时间:2021-05-26 21:12:45
      5月23日,抗辐射集成电路技术实验室2021年工作会暨学术交流会在我所隆重召开。学术委员会主任郝跃院士、副主任欧阳晓平院士、学术委员会委员,九院研开部部长孙甲琦、实验室主任赵元富、常务副主任唐磊、副主任陈雷、副主任张玉明,实验室学术带头人、技术人员代表及管理人员等共计60余人参会。
      会上,771所所长唐磊、772所所长陈雷、西安电子科技大学院长张玉明分别代表依托单位就实验室建设、人才培养、科学研究、学术交流做了发言。赵元富主任作《实验室情况介绍及2021年度主要工作汇报》报告,王英民、王亮、郑雪峰三位学术带头人分别作《基于专用集成电路工艺线的抗辐射工艺技术研究》、《28nm集成电路辐射效应和加固技术研究》、《氮化镓器件辐射效应研究进展》学术报告。实验室聘任郝跃院士为学术委员会主任,欧阳晓平院士、王巍院士为学术委员会副主任,聘任17名国内知名专家、学者为学术委员会委员。与会人员针对学术报告、实验室建设及后续发展开展了热烈讨论,并提出了宝贵的意见和建议。

      郝跃院士表示实验室成立很及时,并对实验室的建设思路予以肯定,希望三家依托单位充分发挥各自优势,加强基础理论研究,紧密联合,作出特色,打造国家级重点实验室。
      欧阳晓平院士希望实验室聚焦应用基础,发挥实验室品牌优势、学术前沿引领优势、器件制备优势、人才培养和技术支持优势,形成抗辐射知识体系和技术引领,将前沿和需求相结合,产生重大科技成果并获得重大应用。
      孙甲琦部长对实验室学术委员会的成立表示祝贺,对大家的支持表示感谢,希望各位专家加强指导,三家依托单位齐心协力,紧密合作,在集团公司和九院的大力支持下,早日建成国家级重点实验室。
      赵元富主任衷心感谢院士和专家们对实验室建设发展提出的宝贵意见和建议,希望后续三家依托单位在集团公司和九院领导下,发挥各自专业优势,加强基础理论和前沿探索研究,引进培养高端人才,加强技术融合和学术交流,紧密结合应用,将抗辐射集成电路技术实验室建成国家级重点实验室,为国防现代化建设做出更大贡献。


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