宇航高等级抗辐照VDMOS专项是我所面向我国目前和未来宇航应用，为打破国外高等级抗辐照元器件封锁禁运，摆脱受制于人的局面，立足于我所六英寸国军标生产线，完全自主创新研发的，可完全替代国外IR等公司的同等级系列产品。
    近日，我所为二代导航配套、所内DC/DC等混合模块配套的11款VDMOS代表芯片共16款产品，全面通过了五院现场监制的单粒子试验鉴定考核。此次试验采用重金属铋（Bi）粒子，粒子LET值为99.8MeV•cm2/mg,射程为53μm，LET值远高于规范的75MeV及国外同等产品指标。我所参试的所有产品表现优异，试验过程中实时监测、试验后考核测试栅漏电流和漏源漏电流均低于规范指标一个数量级。
    试验获得圆满成功标志着我所已全面掌握VDMOS产品抗单粒子和总剂量加固的设计和制造关键核心工艺技术，进一步巩固了我所在国内宇航用抗辐照VDMOS领域的全方位领先地位。项目团队成立两年来，充分发扬“六不言”精神，经过200余批次的工艺流片反复试验、分析和改进，解决了诸多产品流片过程中的工艺技术难题。在此次攻关过程中，全所上下一盘棋，统筹协调、大力协同，其中：混合事业部解决了VDMOS器件大功率、低导通电阻封装特殊要求等研制批产过程中遇到一系列技术难题；可靠性事业部解决了VDMOS器件大电流、动态测试等测试技术问题。证明了我所已建立了成熟稳定的VDMOS产品设计、工艺、生产技术平台，具备了多品种大批量生产的能力。
    今年6月，VDMOS专项已按计划实现第一批2款产品的入库交付，并提交五院开始鉴定，同时其余8款产品已开始鉴定批封装及筛选，计划9月前完成产品交付，11月完成设计定型。同时在研的几十个产品性能指标，不仅与国外产品完全对标，部分关键指标甚至优于国外产品。
    单粒子鉴定试验的通过，打通了产品鉴定之路上的最关键的技术瓶颈。后续，项目组将在此基础上，扎实做好后续产品鉴定中的各项工作，早日实现产品批量供货交付。（程鹏刚 陈长城）