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混合集成具备薄膜混合集成、厚膜混合集成、低温共烧多层陶瓷基板(LTCC)、多芯片组装及系统集成技术,具备从设计、工艺、制造、测试、筛选等完整产业链;目前我所混合集成技术已经从传统的混合集成技术向多芯片组件(MCM)及系统级封装(SiP)等高级混合集成技术发展,混合集成电路规模由集成中小规模芯片技术向第二代集成多个VLSI芯片的二维MCM技术和第三代集成SoC芯片的SiP三维系统集成技术的转变。

目前,我所混合集成电路专业建立了混合集成电路设计和中心航天MCM微组装中心等两个中心,拥有薄膜国军标生产线、厚膜国军标生产线、DC/DC及功率集成生产线、LTCC多层基板生产线,具备了薄膜线宽/间距20µm/20µm,厚膜线宽/间距100µm/150µm,厚膜多层布线6层,LTCC布线层数50层的工艺基板制造能力和3D MCM 组装密度200%,功率密度150W/in3的高功率密度组装能力。基于宇航应用的混合集成电路空间环境适应能力可达抗总剂量200Krad(Si),抗单粒子烧毁和栅穿能力达到92MeV·cm2/mg。

在混合集成电路设计方面,建立了先进的EDA设计、仿真平台,具备LTCC高密度布线基板设计、高精度模拟电路、功率电路和DC/DC变换器、热设计、结构设计等仿真能力。突破了SiP系统集成一体化设计、DC/DC抗辐照线路设计、动态快速响应设计、大功率电路驱动及防护设计,电磁兼容设计、高精度电流源设计等关键技术。

在工艺技术方面,引进了8英寸全自动LTCC生产线,厚膜印刷技术实现了从单层印刷到多层印刷的转变,LTCC基板制备从10层提升到50层,突破了基板封装一体化结构设计制造、芯片叠层组装、基板叠层互连、阵列光电耦合器组装以及双面腔体组装封装等SiP系统集成模块工艺技术,组装效率达到200%,实现了SiP组装工艺工程化;突破了大功率芯片烧结、粗丝引线键合、DBC基板应用等工艺,使大功率电路的输出电流能力达到上百安培,组装功率密度从50W/in3提升到150W/in3

产品结构从定制产品发展到了多系列通用产品,形成了SiP系列、抗辐照DC/DC变换器系列、通用DC/DC变换器系列、固态功率控制器SSPC系列、精密电流电压基准源系列、功率驱动系列、电子开关系列、隔离放大器系列、加速度计伺服电路、新一代冗余驱动器系列等产品,内部关键芯片可实现我所自行研制,实现自主可控,产品质量等级达到国军标H级、K1级、五院CC等级,产品覆盖航天1、5、8院、航空、兵器、船舶、电子、核工业等领域。

薄膜混合集成电路国军标线


低温共烧陶瓷、功率集成生产线


多芯片组装测试线

混合集成电路产品包括变换放大器系列、精密基准源系列、DC/DC变换器系列、大功率电动机驱动器系列、温控电路系列、SiP系统集成模块及I/F转换器系列等。


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